2-12μm , MCT中紅外三級TE冷卻光浸式光電探測器 PVI-3TE系列具有好的性能和穩定性,同時采用光學浸入來改善器件的參數。探測器在λopt時具有好性能。切割波長可根據需要進行優化。反向偏置...
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產品分類400-828-1550
2-12μm , MCT中紅外三級TE冷卻光浸式光電探測器 PVI-3TE系列具有好的性能和穩定性,同時采用光學浸入來改善器件的參數。探測器在λopt時具有好性能。切割波長可根據需要進行優化。反向偏置...
查看詳情2-12μm MCT 中紅外兩級TE冷卻光浸式光電探測器 PVI-2TE系列是基于復雜的HgCdTe異質結構的兩級熱電冷卻紅外光電探測器,具有好的性能和穩定性,同時采用光學浸入來改善器件的參數。探測器...
查看詳情2-12μm 中紅外MCT三級熱電冷卻紅外光電探測器, 帶TEC ,PV-3TE系列是基于復雜的MCT異質結構的三級熱電冷卻紅外光電探測器,具有好的性能和穩定性。探測器在λopt時達到好性能。起始波長...
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查看詳情3μm MCT 中紅外非制冷光電探測器 2.5-6.5μm HgCdTe器件在λ_opt時達到好性能。波長分割可根據需求進行優化。反向偏置電壓可以在顯著提高響應速度和動態范圍的同時提高高頻下的性能,但...
查看詳情光電磁MCT紅外光伏探測器 2.0-12.0um PEMI系列在10.6 μm處探測性能最佳,是一款特別適用于探測連續波和低頻調制輻射的大感光面探測器。這款探測器被安裝在內部含有磁性電路的特殊包裝中。...
查看詳情1-16μm 中紅外光浸沒式MCT四級TE冷卻光電導探測器 PCI-4TE系列截止波長受GaAs透過率(~0.9 μm)的限制。設備應該在好的偏置電壓和電流讀出模式下工作。由于1/f噪聲,在低頻時探測...
查看詳情1-15μm中紅外光浸沒式MCT三級TE冷卻光電導探測器 PCI-3TE系列應該在好的偏置電壓和電流讀出模式下工作。由于1/f噪聲,在低頻時探測器的性能降低。1/f噪聲角頻率隨截止波長增大而增大。帶有...
查看詳情2-5.5μm紅外兩級TE冷卻InAs光伏探測器 PVA-2TE系列是基于InAs 1-x Sb x合金的兩級TE冷卻紅外光伏探測器。該設備具有高達300℃的溫度穩定性以及高機械耐用,且不含汞和鎘,符...
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